<< Нажмите, чтобы обновить оглавление >> Навигация: »Страница главного уровня« ПАРАМЕТРЫ |
Виды и режимы курсора Правила ввода параметров
•Параметры.
Параметры построения эквидистанты.
✓Смещение, м. Расстояние от исходной маски СЛ до эквидистанты. Значение параметра всегда положительное вне зависимости от направления перемещения эквидистанты и ограничено условием вырождения всего сегмента маски в точку. Параметр доступен для редактирования, если смещение эквидистанты определено в режиме указания точки. ✓Исходная маска. Настройка удаления исходной маски. Настройка доступна, если исходная маска хранится в активном проекте, и эквидистанта к ней строится по всей ее длине. ✓Шаг масок. Значение расстояния между строящимися масками (зависит от смещения). ✓Количество масок. Количество строящихся эквидистантных масок. ✓Разрывы. Выбор типа звеньев (прямая или сплайн), которыми будут соединены разрывы узлов или разрушенные звенья в случае построения нестрогой эквидистанты. ✓Эквидистанта. Информационное поле, в котором отображается текущий способ построения эквидистанты (строгая или нестрогая). |
•Свойства маски
Выбор слоя хранения создаваемой маски. По умолчанию предлагается активный слой.
Выбор положения первого профиля создаваемой маски и задание его параметров.
✓Положение. Информационное поле со значениями Верхний или Нижний. Параметр присутствует при построении эквидистанты к СЛ с 2-мя профилями. В зависимости от стороны, в которую осуществляется перенос маски, первый профиль создаваемой маски будет соответствовать либо нижнему, либо верхнему профилю исходной, т. е. если построение осуществляется в сторону низа вертикальной стенки, то эквидистанта строится от нижнего профиля, и наоборот: Это позволяет при удалении второго профиля и последующем создании поверхности получить ожидаемый результат: ✓ Превышение dH, м. Разница по высоте между узлами профилей исходной и создаваемой масок: со знаком "+", когда новые выше, и со знаком "-", когда новые ниже. Значение задается непосредственно вводом, либо рассчитывается автоматически по значениям уклона и длины объекта. ✓Уклон I, ‰. Уклон от узлов профиля исходной маски к узлам профиля создаваемой маски: со знаком "+", когда новые выше, и со знаком "-", когда новые ниже. Значение задается непосредственно вводом, либо рассчитывается автоматически по значениям превышения и длины объекта. ✓Заложение, m. См. уклон. |
•Второй профиль
Определение необходимости создания и параметров второго профиля создаваемой маски.
✓Вертикальная плоскость. Выбор значения из выпадающего списка: –Нет - вертикальная плоскость моделироваться не будет. –Справа/Слева - вертикальная плоскость будет создана с правой/левой стороны по направлению маски СЛ. Значение исходной маски по умолчанию инвертируется – т.е если у исходной маски плоскость слева, то у новой - справа. ✓Изменить высоту. Выпадающий список, определяющий необходимость изменения высоты вертикальной плоскости и как следствие - переопределения второго профиля. Параметр скрыт, если у исходной маски нет второго профиля или вдоль строящейся маски вертикальную поверхность создавать не надо (в выпадающем списке Вертикальная плоскость установлено значение Нет). ✓Высота плоскости. Значение высоты моделируемой поверхности (не может быть равно 0,00). Параметр скрыт, если в выпадающем списке Изменить высоту установлено значение Нет. |